通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表麵，稱為蒸發鍍膜。

　　此方法最早由英國物理學家M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。

　　蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。

　　蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表麵。薄膜厚度可由數百埃至數微米。

　　膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量)，並與源和基片的距離有關。對於大麵積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。

　　從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。

　　蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

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