ITO薄膜在濺鍍過程中會產生不同的特性，有時候表麵光潔度比較低，出現“麻點”的現象，有時候會出現高蝕間隔帶。

　　在蝕刻時還會出現直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現微晶溝縫。

　　各種特性的產生一般取決於靶材和玻璃的選用，濺鍍時所使用的溫度和運動方式。

　　當前常用的ITO靶材製作是通過燒結法生產的，就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進行混合，通常質量比是90%In2O3和10% SnO2，再通過一係列的生產工藝加工成型後，以1400℃～1600℃高溫通氧氣燒結，最終形成的黑灰色陶瓷半導體(氧化銦錫，ITO)。

　　一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質量，深灰色是最好的，相反越黑質量越差，我國生產的ITO靶材質量還可以的是黑灰色的。

　　經過研究，在麻豆成人影院在线观看機ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控製在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到最低，而薄膜的結晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大。

　　超過200℃後透射率趨於減弱;使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表麵形貌均一穩定，超過600℃後顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現象嚴重，薄膜表麵形貌破壞。

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